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  #1  
Old 01-20-2018, 05:50 AM
mikebinn mikebinn is offline
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Default CMK32GX4M2B3200C16 max 3066 Mhz?

Hallo zusammen,
ich habe das 32GB Kit (CMK32GX4M2B3200C16) zuerst auf einem Asus Z170-K mit I7 6700k betrieben und kam mit XMP nie zum booten. Stabil liefen die RAM immer nur manuell mit 3066MHz(Spannung Auto/Timings Auto).

Ich habe vermutet, dass es ggf. mit dem Z170 zu tun hat, was in dem Forum hier ja öfters zu Probleme geführt hat. Jetzt habe ich das MSI Z370 PRO Gaming Carbon und den I7 8700k. Und das Verhalten ist exakt das gleiche. Mit XMP fährt er gar nicht hoch und manuell nur mit max. 3066MHz.

Ist das normal bei den beiden Riegeln? Ich habe im übrigen KEIN OC aktiv.
Ich setze alles auf default und nur die RAM auf XMP. Bei beiden Boards kommt ein schwarzer Bildschirm nach dem Neustart. Bios immer die letzten Versionen.

Danke vorab für jede Hilfe.
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  #2  
Old 01-21-2018, 07:16 PM
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Bluebeard Bluebeard is offline
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Hi mikebinn,

Wenn die Speichermodule 3200MHz ausweisen, haben wir diese auch für den Betrieb bei 3200MHz zertifiziert. Je nach System kann, aber muss es nicht erreicht werden. Bei den beiden Konfigurationen von dir, sollte dies aber in der Regel klappen.

In welchen Slots hast du die Module installiert? Hast du hier schon mal unterschiedliche Konfigurationen probiert zwischen A und B Paarung? Eventuell genügt es aber auch schon die Spannung der Module ein wenig höher zu schrauben.

Lese die Daten vom Speicher doch bitte einmal mit AIDA64 und Thaiphoon Burner aus und poste das Ergebnis hier.

Viele Grüße
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  #3  
Old 01-22-2018, 12:35 PM
mikebinn mikebinn is offline
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Default

Zunäcgst von Aida64:

--------[ AIDA64 Extreme ]----------------------------------------------------------------------------------------------

Version AIDA64 v5.95.4500/de
Benchmark Modul 4.3.770-x64
Homepage http://www.aida64.com/
Berichtsart Berichts-Assistent [ TRIAL VERSION ]
Computer DESKTOP-AMU2O1U
Ersteller JohnV
Betriebssystem Microsoft Windows 10 Pro 10.0.15063.850 (Win10 RS2)
Datum 2018-01-22
Zeit 17:34


--------[ Speicher ]----------------------------------------------------------------------------------------------------

Physikalischer Speicher:
Gesamt [ TRIAL VERSION ]
Belegt [ TRIAL VERSION ]
Frei 29156 MB
Auslastung [ TRIAL VERSION ]

Virtueller Speicher:
Gesamt 37843 MB
Belegt 4682 MB
Frei 33161 MB
Auslastung 12 %

Auslagerungsdatei:
Auslagerungsdatei C:\pagefile.sys
Momentane Größe 5120 MB
Momentan / Maximum Nutzung 21 MB / 288 MB
Auslastung 0 %

Physical Address Extension (PAE):
Vom Betriebssystem unterstützt Ja
Von der CPU unterstützt Ja
Aktiv Ja


--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]

Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname [ TRIAL VERSION ]
Seriennummer Keine
Modulgröße 16 GB (2 ranks, 16 banks)
Modulart [ TRIAL VERSION ]
Speicherart DDR4 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR4-2133 (1066 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung 1.2 V
Fehlerkorrekturmethode Keine
DRAM Hersteller Samsung
DRAM Stepping 00h
SDRAM Die Count 1

Speicher Timings:
@ 1066 MHz 16-15-15-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 50-374-278-171-6-4-6-25 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1066 MHz 15-15-15-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 50-374-278-171-6-4-6-25 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1037 MHz 14-14-14-35 (CL-RCD-RP-RAS) / 49-363-270-166-6-4-6-24 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 962 MHz 13-13-13-32 (CL-RCD-RP-RAS) / 45-338-251-155-6-4-6-23 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 888 MHz 12-12-12-30 (CL-RCD-RP-RAS) / 42-312-232-143-5-4-5-21 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 814 MHz 11-11-11-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 38-286-212-131-5-4-5-19 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 740 MHz 10-10-10-25 (CL-RCD-RP-RAS) / 35-260-193-119-4-3-4-18 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 666 MHz 9-9-9-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 31-234-174-107-4-3-4-16 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)

Extreme Memory Profile v2.0:
Profil Name Enthusiast (Certified)
Speichergeschwindigkeit DDR4-3200 (1600 MHz)
Spannung 1.35 V
Empfohlene DIMMs pro Kanal 1
@ 1600 MHz 20-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1600 MHz 19-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1600 MHz 18-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1600 MHz 17-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1600 MHz 16-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1501 MHz 15-17-17-34 (CL-RCD-RP-RAS) / 51-525-389-239-9-6-34 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1401 MHz 14-16-16-32 (CL-RCD-RP-RAS) / 48-490-363-223-8-6-31 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1301 MHz 13-15-15-30 (CL-RCD-RP-RAS) / 44-455-338-207-8-5-29 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1201 MHz 12-14-14-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 41-420-312-191-7-5-27 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1101 MHz 11-13-13-25 (CL-RCD-RP-RAS) / 38-385-286-176-7-5-25 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1001 MHz 10-12-12-23 (CL-RCD-RP-RAS) / 34-350-260-160-6-4-23 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 900 MHz 9-11-11-21 (CL-RCD-RP-RAS) / 31-315-234-144-6-4-20 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)

Speichermodulbesonderheiten:
Monolithic DRAM Device Ja
Thermal Sensor Nicht vorhanden

Speichermodulhersteller:
Firmenname Corsair Inc.
Produktinformation http://www.corsair.com/en/memory-by-product-family.html

[ DIMM4: [ TRIAL VERSION ] ]

Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname [ TRIAL VERSION ]
Seriennummer Keine
Modulgröße 16 GB (2 ranks, 16 banks)
Modulart [ TRIAL VERSION ]
Speicherart DDR4 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR4-2133 (1066 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung 1.2 V
Fehlerkorrekturmethode Keine
DRAM Hersteller Samsung
DRAM Stepping 00h
SDRAM Die Count 1

Speicher Timings:
@ 1066 MHz 16-15-15-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 50-374-278-171-6-4-6-25 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1066 MHz 15-15-15-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 50-374-278-171-6-4-6-25 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1037 MHz 14-14-14-35 (CL-RCD-RP-RAS) / 49-363-270-166-6-4-6-24 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 962 MHz 13-13-13-32 (CL-RCD-RP-RAS) / 45-338-251-155-6-4-6-23 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 888 MHz 12-12-12-30 (CL-RCD-RP-RAS) / 42-312-232-143-5-4-5-21 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 814 MHz 11-11-11-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 38-286-212-131-5-4-5-19 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 740 MHz 10-10-10-25 (CL-RCD-RP-RAS) / 35-260-193-119-4-3-4-18 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 666 MHz 9-9-9-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 31-234-174-107-4-3-4-16 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)

Extreme Memory Profile v2.0:
Profil Name Enthusiast (Certified)
Speichergeschwindigkeit DDR4-3200 (1600 MHz)
Spannung 1.35 V
Empfohlene DIMMs pro Kanal 1
@ 1600 MHz 20-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1600 MHz 19-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1600 MHz 18-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1600 MHz 17-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1600 MHz 16-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1501 MHz 15-17-17-34 (CL-RCD-RP-RAS) / 51-525-389-239-9-6-34 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1401 MHz 14-16-16-32 (CL-RCD-RP-RAS) / 48-490-363-223-8-6-31 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1301 MHz 13-15-15-30 (CL-RCD-RP-RAS) / 44-455-338-207-8-5-29 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1201 MHz 12-14-14-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 41-420-312-191-7-5-27 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1101 MHz 11-13-13-25 (CL-RCD-RP-RAS) / 38-385-286-176-7-5-25 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 1001 MHz 10-12-12-23 (CL-RCD-RP-RAS) / 34-350-260-160-6-4-23 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)
@ 900 MHz 9-11-11-21 (CL-RCD-RP-RAS) / 31-315-234-144-6-4-20 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)

Speichermodulbesonderheiten:
Monolithic DRAM Device Ja
Thermal Sensor Nicht vorhanden

Speichermodulhersteller:
Firmenname Corsair Inc.
Produktinformation http://www.corsair.com/en/memory-by-product-family.html
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  #4  
Old 01-22-2018, 12:41 PM
mikebinn mikebinn is offline
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Manufacturing Description Module Manufacturer: Corsair
Module Part Number: CMK32GX4M2B3200C16
Module Series: Vengeance LPX
DRAM Manufacturer: Samsung
DRAM Components: K4A8G085WB-BCPB
DRAM Die Revision / Lithography Resolution: B / 20 nm
Module Manufacturing Date: Undefined
Module Manufacturing Location: Taiwan
Module Serial Number: 00000000h
Module PCB Revision: 00h
Physical & Logical Attributes Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM
Module Speed Grade: DDR4-2133P downbin
Base Module Type: UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity: 16384 MB
Reference Raw Card: B0 (8 layers)
Initial Raw Card Designer: Micron Technology
Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back: 1 < T <= 2 mm
Number of DIMM Ranks: 2
Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Mirrored
DRAM Device Package: Standard Monolithic
DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA
DRAM Device Die Count: Single die
Signal Loading: Not specified
Number of Column Addresses: 10 bits
Number of Row Addresses: 16 bits
Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups)
DRAM Device Width: 8 bits
Programmed DRAM Density: 8 Gb
Calculated DRAM Density: 8 Gb
Number of DRAM components: 16
DRAM Page Size: 1 KB
Primary Memory Bus Width: 64 bits
Memory Bus Width Extension: 0 bits
DRAM Post Package Repair: Not supported
Soft Post Package Repair: Not supported
DRAM Timing Parameters Fine Timebase: 0,001 ns
Medium Timebase: 0,125 ns
CAS Latencies Supported: 9T, 10T, 11T, 12T,
13T, 14T, 15T, 16T
DRAM Minimum Cycle Time: 0,938 ns
DRAM Maximum Cycle Time: 1,500 ns
Nominal DRAM Clock Frequency: 1066,10 MHz
Minimum DRAM Clock Frequency: 666,67 MHz
CAS# Latency Time (tAA min): 13,500 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,500 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,500 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 33,000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 46,500 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 350,000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 260,000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 160,000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 3,701 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 5,300 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,356 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min): 23,000 ns
Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC
DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes
Thermal Parameters Module Thermal Sensor: Not Incorporated
SPD Protocol SPD Revision: 1.0
SPD Bytes Total: 512
SPD Bytes Used: 384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): 547Dh (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): 27DEh (OK)
Part number details JEDEC DIMM Label: 16GB 2Rx8 PC4-2133P-UB0-10
Frequency CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL CCDL FAW
1067 MHz 16 15 15 36 50 4 6 6 25
1067 MHz 15 15 15 36 50 4 6 6 25
933 MHz 14 13 13 31 44 4 5 5 22
933 MHz 13 13 13 31 44 4 5 5 22
800 MHz 12 11 11 27 38 3 5 5 19
800 MHz 11 11 11 27 38 3 5 5 19
667 MHz 10 9 9 22 31 3 4 4 16
667 MHz 9 9 9 22 31 3 4 4 16
Intel Extreme Memory Profiles Profiles Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enables: Yes
Profile 2 (Extreme) Enables: No
Profile 1 Channel Config: 1 DIMM/channel
XMP Parameter Profile 1 Profile 2
Speed Grade: DDR4-3200 N/A
DRAM Clock Frequency: 1600 MHz N/A
Module VDD Voltage Level: 1,35 V N/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,625 ns N/A
CAS Latencies Supported: 20T,19T,18T,17T,
16T,15T,14T,13T,
12T,11T,10T,9T N/A
CAS Latency Time (tAA): 16T N/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 18T N/A
Row Precharge Delay Time (tRP): 18T N/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS): 36T N/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 54T N/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW): 36T N/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 6T N/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 9T N/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 559T N/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 415T N/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 255T N/A
Show delays in nanoseconds
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  #5  
Old 01-22-2018, 12:42 PM
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Hier die Report aus beiden Programmen. Auf wie viel Volt kann ich bei den DRAM gehen? 1.36 oder 1.37 bei 3200MHz? Danke für den Support!!
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  #6  
Old 01-22-2018, 01:38 PM
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1.37V sind für die meisten IC Typen völlig unbedenklich. Im Einzelfall kann man auch noch höher gehen, wobei ich versuchen würde unter 1.4V zu bleiben.

Falls dies keinen Erfolg bringt, verwende manuelle Einstellungen statt dem XMP und verwende dafür die Timings aus diesem Profil:

1600 MHz 16-18-18-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 54-559-415-255-9-6-36 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-FAW)

Mitunter geben die Board-Automatiken auch einfach zu viel VCCSA/VCCIO für diesen Speichertakt, dann kann es helfen diese Spanungen manuell für den Speichercontroller deines Prozessors auszuloten. Du kannst deine stabilen Werten für DDR4-3066 als Ausgangspunkt verwenden.
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  #7  
Old 01-22-2018, 05:35 PM
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Ich bin sukzessive die Spannung bis 1.39 Volt durchgegangen und kann nun unter Volllast die 3200 MHz mit XMP-Profil nutzen. Ich ging immer fälschlichweise davon aus, dass das XMP die Spannung gleich korrekt mitregelt. Ich bin froh, dass es nun klappt! Danke für eure Hilfe, Leute!!!
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